NTMYS1D3N04CTWG není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar

RBE020N04R0SZN6#HB0
Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 8,98513 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3,9W (Ta), 134W (Tc) Montáž na povrch LFPAK4 (5x6)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3,9W (Ta), 134W (Tc) Montáž na povrch LFPAK4 (5x6)
SOT 1023

NTMYS1D3N04CTWG

Číslo produktu DigiKey
488-NTMYS1D3N04CTWG-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NTMYS1D3N04CTWG
Popis
POWER MOSFET, SINGLE N-CHANNEL,
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3,9W (Ta), 134W (Tc) Montáž na povrch LFPAK4 (5x6)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
43A (Ta), 252A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,15mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 180µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4855 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,9W (Ta), 134W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
LFPAK4 (5x6)
Pouzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.