Name: RBE020N04R0SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND
Price: 10.89893 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RBE020N04R0SZN6#HB0
Číslo produktu DigiKey	559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RBE020N04R0SZN6#HB0
Popis	POWER:POWER MOSFETS
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (4,9x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4160 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	100W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFN (4,9x5,75)
Pouzdro	8-PowerTDFN

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání

Zkontrolovat dodací lhůtu

Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)