Name: NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTMT045N065SC1TR-ND
Price: 315.81 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMT045N065SC1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMT045N065SC1
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montáž na povrch 4-TDFN (8 x 8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	55A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 25A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	105 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1870 pF @ 325 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	187W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4-TDFN (8 x 8)
Pouzdro	4-PowerTSFN
Základní číslo produktu	NTMT045