N-kanál 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montáž na povrch 4-TDFN (8 x 8)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMT045N065SC1

Číslo produktu DigiKey
5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Páska a cívka (TR)
5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Řezaná páska (CT)
5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NTMT045N065SC1
Popis
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montáž na povrch 4-TDFN (8 x 8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
55A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
50mOhm při 25A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4,3V při 8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1870 pF @ 325 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
187W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
4-TDFN (8 x 8)
Pouzdro
4-PowerTSFN
Základní číslo produktu
NTMT045
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 6 564
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1257,26000 Kč257,26 Kč
10179,36300 Kč1 793,63 Kč
100155,36600 Kč15 536,60 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 000126,93340 Kč380 800,20 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:257,26000 Kč
Jednotková cena s DPH:311,28460 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

783,28000 Kč
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

328,91000 Kč
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

598,70000 Kč
FL06100G

FL06100G

SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8

fastSiC

167,74000 Kč
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

563,18000 Kč
IMTA65R033M2HXTMA1

IMTA65R033M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

209,01000 Kč
FF06100G

FF06100G

SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8

fastSiC

167,74000 Kč
NTMT064N65S3H

NTMT064N65S3H

MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN

onsemi

187,66000 Kč
NTBL023N065M3S

NTBL023N065M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

onsemi

324,40000 Kč
IPL60R060CFD7AUMA1

IPL60R060CFD7AUMA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

152,96000 Kč