N-kanál 650 V 77A (Tc) 312W (Tc) Montáž na povrch 8-HPSOF
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBL023N065M3S

Číslo produktu DigiKey
488-NTBL023N065M3S-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NTBL023N065M3S
Popis
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 77A (Tc) 312W (Tc) Montáž na povrch 8-HPSOF
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
77A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
32,6mOhm při 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
69 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1950 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
312W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-HPSOF
Pouzdro
8-PowerSFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 760
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
1331,77000 Kč331,77 Kč
10234,27500 Kč2 342,75 Kč
100179,34600 Kč17 934,60 Kč
500175,21782 Kč87 608,91 Kč
Jednotková cena bez DPH:331,77000 Kč
Jednotková cena s DPH:401,44170 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

281,58000 Kč