Name: NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBL023N065M3S-ND
Price: 398.2231 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBL023N065M3S
Číslo produktu DigiKey	488-NTBL023N065M3S-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBL023N065M3S
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 77A (Tc) 312W (Tc) Montáž na povrch 8-HPSOF
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	77A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	32,6mOhm při 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	69 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1950 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	312W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HPSOF
Pouzdro	8-PowerSFN