FQD7N20TF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

IRFR220TRPBF
Vishay Siliconix
Skladem : 14 507
Jednotková cena : 43,53000 Kč
Katalogový list

Similar

SIHFR220-GE3
Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,31602 Kč
Katalogový list

Similar

ZXMN20B28KTC
Diodes Incorporated
Skladem : 859
Jednotková cena : 24,02000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 200 V 5,3A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 200 V 5,3A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
TO-252AA

FQD7N20TF

Číslo produktu DigiKey
FQD7N20TF-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
FQD7N20TF
Popis
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 5,3A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FQD7N20TF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
QFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
5,3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
690mOhm při 2,65A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
FQD7
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné