Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent

SIHFR220-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHFR220-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHFR220-GE3 |
Popis | MOSFET N-CHANNEL 200V |
Standardní dodací lhůta výrobce | 15 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 200 V 4,8A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 800mOhm při 2,9A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 14 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 260 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 2,5W (Ta), 42W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-252AA | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 5,43680 Kč | 16 310,40 Kč |
| 6 000 | 5,29510 Kč | 31 770,60 Kč |
| 9 000 | 5,22416 Kč | 47 017,44 Kč |
| 15 000 | 5,14557 Kč | 77 183,55 Kč |
| 21 000 | 5,09962 Kč | 107 092,02 Kč |
| 30 000 | 5,05542 Kč | 151 662,60 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 5,43680 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 6,57853 Kč |



