Name: FQD2N100TM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N100TMTR-ND
Price: 56.7127 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

FQD2N100TM
cms-digikey-product-number	FQD2N100TMTR-ND - Páska a cívka (TR) FQD2N100TMCT-ND - Řezaná páska (CT) FQD2N100TMDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FQD2N100TM
cms-description	MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 1000 V 1,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	QFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9Ohm při 800mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	520 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	FQD2N100

Jednotková cena bez DPH:	46,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:	56,71270 Kč

FQD2N100TM