


IXTY2N100P | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXTY2N100P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTY2N100P |
Popis | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 50 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1000 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 7,5Ohm při 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,5V při 100µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 24.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 655 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 86W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-252AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 91,86000 Kč | 91,86 Kč |
70 | 44,96900 Kč | 3 147,83 Kč |
140 | 40,99343 Kč | 5 739,08 Kč |
560 | 34,83668 Kč | 19 508,54 Kč |
1 050 | 32,67612 Kč | 34 309,93 Kč |
2 030 | 32,17978 Kč | 65 324,95 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 91,86000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 111,15060 Kč |