IXTY1R4N100P je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
cms-subs-available:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
cms-in-stock: 0
cms-unit-price: 10,88926 Kč
cms-datasheet

Similar


onsemi
cms-in-stock: 1 588
cms-unit-price: 46,87000 Kč
cms-datasheet
TO-252AA
cms-photo-disclaimer
TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R4N100P

cms-digikey-product-number
IXTY1R4N100P-ND
cms-manufacturer
cms-manufacturer-product-number
IXTY1R4N100P
cms-description
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
cms-standard-lead-time
50 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-kanál 1000 V 1,4A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
cms-datasheet
 cms-datasheet
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
11Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
450 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

K dispozici pro objednání
cms-check-lead-time
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
cms-all-prices-in-currency
Trubice
cms-quantitycms-unit-pricecms-ext-price
35033,67794 Kč11 787,28 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:33,67794 Kč
Jednotková cena s DPH:40,75031 Kč