


IXTY1R4N100P | |
---|---|
cms-digikey-product-number | IXTY1R4N100P-ND |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | IXTY1R4N100P |
cms-description | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 |
cms-standard-lead-time | 50 týdnů |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | N-kanál 1000 V 1,4A (Tc) 63W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
cms-datasheet | cms-datasheet |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
---|---|---|
cms-category | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1000 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 11Ohm při 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,5V při 50µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 17.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 450 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 63W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-252AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
---|---|---|
350 | 33,67794 Kč | 11 787,28 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 33,67794 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 40,75031 Kč |