FDS6982AS je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 62 223
Jednotková cena : 11,37359 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 826
Jednotková cena : 22,14000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 12 357
Jednotková cena : 39,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 26 206
Jednotková cena : 25,59000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 30V 6,3A, 8,6A 900mW Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS6982AS

Číslo produktu DigiKey
FDS6982ASTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDS6982AS
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 6,3A, 8,6A 900mW Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
6,3A, 8,6A
Rds zap (max) při Id, Vgs
28mOhm při 6,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
15nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
610pF při 10V
Výkon - max
900mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.