Pole MOSFET 30V 4,9A 750mW Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMD4820NR2G

Číslo produktu DigiKey
NTMD4820NR2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NTMD4820NR2G
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 4,9A 750mW Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
NTMD4820NR2G Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Aktivní
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
4,9A
Rds zap (max) při Id, Vgs
20mOhm při 7,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
7,7nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
940pF při 15V
Výkon - max
750mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Základní číslo produktu
NTMD4820
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Chcete-li požádat o cenovou nabídku, Přihlaste se nebo se Zaregistrujte
Skladové zásoby Marketplace: 62 223 Zobrazit nyní

Other Suppliers on DigiKey

59 723Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC