Name: FDS6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6675BZTR-ND
Price: 33.88 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

FDS6675BZ
Číslo produktu DigiKey	FDS6675BZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDS6675BZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDS6675BZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS6675BZ
Popis	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 11A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS6675BZ Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2470 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	FDS6675

Jednotková cena bez DPH:	28,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:	33,88000 Kč

FDS6675BZ