Name: FDMS86180
Brand: onsemi
SKU: FDMS86180TR-ND
Price: 175.8251 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS86180
Číslo produktu DigiKey	FDMS86180TR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS86180CT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS86180DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS86180
Popis	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Standardní dodací lhůta výrobce	44 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 151A (Tc) 138W (Tc) Montáž na povrch Power56
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 370µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 54 nC @ 6 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6215 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 138W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra Power56
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 151A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMS86
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,2mOhm při 67A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
RBE029N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	4 290	559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND	65,09000 Kč	Similar
SQJQ480E-T1_GE3	Vishay Siliconix	4 283	SQJQ480E-T1_GE3CT-ND	90,29000 Kč	Similar