Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

N-kanál 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (4,9x5,75)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RBE029N10R1SZN6#HB0
Číslo produktu DigiKey	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Páska a cívka (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Řezaná páska (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RBE029N10R1SZN6#HB0
Popis	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (4,9x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 109µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 91 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6500 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 165W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 160A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (4,9x5,75)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,9mOhm při 80A, 10V