Parametrický ekvivalent

RBE111N10R1SZN2#HB0 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND - Páska a cívka (TR) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0CT-ND - Řezaná páska (CT) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | RBE111N10R1SZN2#HB0 |
Popis | MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 40A (Tc) 57W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok μSO8-FL |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 11,1mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 28µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 27 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1700 pF @ 50 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 57W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch, Smáčitelný bok | |
Dodávaná velikost pouzdra | μSO8-FL | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 34,44000 Kč | 34,44 Kč |
| 10 | 21,79600 Kč | 217,96 Kč |
| 100 | 14,57260 Kč | 1 457,26 Kč |
| 500 | 11,47120 Kč | 5 735,60 Kč |
| 1 000 | 10,47338 Kč | 10 473,38 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 9,20615 Kč | 27 618,45 Kč |
| 6 000 | 8,56848 Kč | 51 410,88 Kč |
| 9 000 | 8,37295 Kč | 75 356,55 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 34,44000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 41,67240 Kč |



