Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 150.6692 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS4D0N12C
Číslo produktu DigiKey	FDMS4D0N12COSTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS4D0N12COSCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS4D0N12C
Popis	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Standardní dodací lhůta výrobce	45 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 18,5A (Ta), 114A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 370A
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 82 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6460 pF @ 60 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,7W (Ta), 106W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18,5A (Ta), 114A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMS4
Rds zap (max) při Id, Vgs 4mOhm při 67A, 10V