Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 108.1256 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

FDMS4D0N12C
cms-digikey-product-number	FDMS4D0N12COSTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS4D0N12COSCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FDMS4D0N12C
cms-description	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
cms-standard-lead-time	21 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 120 V 18,5A (Ta), 114A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	120 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18,5A (Ta), 114A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4mOhm při 67A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 370A
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6460 pF @ 60 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,7W (Ta), 106W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-PQFN (5x6)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	FDMS4