Name: FDMQ8203
Brand: onsemi
SKU: FDMQ8203TR-ND
Price: 64.3478 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMQ8203
Číslo produktu DigiKey	FDMQ8203TR-ND - Páska a cívka (TR) FDMQ8203CT-ND - Řezaná páska (CT) FDMQ8203DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMQ8203
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V, 80V 3,4A, 2,6A 2,5W Montáž na povrch 12-MLP (5x4,5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 110mOhm při 3A, 10V
Výrobce onsemi	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada GreenBridge™ PowerTrench®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 210pF při 50V, 850pF při 40V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2,5W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 12-WDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V, 80V	Dodávaná velikost pouzdra 12-MLP (5x4,5)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,4A, 2,6A	Základní číslo produktu FDMQ82