Name: FDMS86200
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200TR-ND
Price: 89.4311 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS86200
Číslo produktu DigiKey	FDMS86200TR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS86200CT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS86200DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS86200
Popis	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 9,6A (Ta), 35A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDMS86200 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 46 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2715 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,6A (Ta), 35A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMS86
Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 9,6A, 10V