Name: FDMS86200DC
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200DCTR-ND
Price: 148.1282 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS86200DC
Číslo produktu DigiKey	FDMS86200DCTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS86200DCCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS86200DCDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS86200DC
Popis	MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 9,3A (Ta), 28A (Tc) 3,2W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Řada Dual Cool™, PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2955 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,2W (Ta), 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,3A (Ta), 28A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMS86200
Rds zap (max) při Id, Vgs 17mOhm při 9,3A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
BSC190N15NS3GATMA1	Infineon Technologies	16 599	BSC190N15NS3GATMA1CT-ND	62,99000 Kč	Similar
SIR872ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	18 346	SIR872ADP-T1-GE3CT-ND	56,90000 Kč	Similar
SIR872DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	9 465	SIR872DP-T1-GE3CT-ND	79,79000 Kč	Similar