FDB8132_F085 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct

BUK761R6-40E,118
Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 36,98798 Kč
Katalogový list

Similar

NP110N03PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,14051 Kč
Katalogový list

Similar

PSMN1R5-30BLEJ
Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 103,52000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 30 V 80A (Tc) 341W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB8132_F085

Číslo produktu DigiKey
FDB8132_F085TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
FDB8132_F085
Popis
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 80A (Tc) 341W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
PowerTrench®
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,6mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
350 nC @ 13 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14100 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
341W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
FDB813
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.