FCPF7N60 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 54,59000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 1 105
Jednotková cena : 19,73812 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 140
Jednotková cena : 30,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 490
Jednotková cena : 66,77000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 183
Jednotková cena : 94,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 576
Jednotková cena : 57,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 20,04511 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 764
Jednotková cena : 46,41000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 328
Jednotková cena : 38,43000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 313
Jednotková cena : 87,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 257
Jednotková cena : 52,29000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 361
Jednotková cena : 89,87000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF7N60

Číslo produktu DigiKey
FCPF7N60-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF7N60
Popis
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF7N60 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
920 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
31W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.