FCPF7N60 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 60,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 1 105
Jednotková cena : 19,73812 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 140
Jednotková cena : 38,64000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 490
Jednotková cena : 71,39000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 183
Jednotková cena : 94,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 76
Jednotková cena : 61,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 70,13000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 22,31247 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 764
Jednotková cena : 49,77000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 271
Jednotková cena : 40,95000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 313
Jednotková cena : 93,44000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 257
Jednotková cena : 56,06000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 349
Jednotková cena : 96,17000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 767
Jednotková cena : 77,48000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF7N60

Číslo produktu DigiKey
FCPF7N60-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF7N60
Popis
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF7N60 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±30V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
920 pF @ 25 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
31W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 3,5A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (17)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and Storage0TK560A65YS4X-ND60,26000 KčDirect
IPA60R600E6XKSA1Rochester Electronics, LLC1 1052156-IPA60R600E6XKSA1-ND19,73812 KčSimilar
IPA60R600P7SXKSA1Infineon Technologies140IPA60R600P7SXKSA1-ND38,64000 KčSimilar
R6007ENXRohm Semiconductor490R6007ENX-ND71,39000 KčSimilar
R6009ENXRohm Semiconductor183R6009ENX-ND94,91000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.