FCH190N65F-F085 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 334
Jednotková cena : 132,90000 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 239,12840 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 197
Jednotková cena : 76,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 85,40000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 192
Jednotková cena : 81,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 272
Jednotková cena : 76,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 237
Jednotková cena : 91,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 132
Jednotková cena : 90,82000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 146
Jednotková cena : 78,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 382
Jednotková cena : 82,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 39
Jednotková cena : 84,99000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 5 065
Jednotková cena : 161,02000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 739
Jednotková cena : 147,89000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 205,59000 Kč
Katalogový list
TO-247-3 AD EP
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCH190N65F-F085

Číslo produktu DigiKey
FCH190N65F-F085-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCH190N65F-F085
Popis
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 20,6A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCH190N65F-F085 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 27A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3181 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.