FCH190N65F-F085 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 191
Jednotková cena : 149,30000 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 241,05700 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 74
Jednotková cena : 92,81000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 158
Jednotková cena : 85,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 162
Jednotková cena : 90,71000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 76,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 139
Jednotková cena : 94,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 88
Jednotková cena : 94,28000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 222
Jednotková cena : 81,68000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 92
Jednotková cena : 110,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 227
Jednotková cena : 91,34000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 5 060
Jednotková cena : 162,31000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 556
Jednotková cena : 280,53000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 243,37000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 20,6A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCH190N65F-F085

Číslo produktu DigiKey
FCH190N65F-F085-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCH190N65F-F085
Popis
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 20,6A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCH190N65F-F085 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 27A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3181 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.