
IPW60R190E6FKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPW60R190E6FKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPW60R190E6FKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPW60R190E6FKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 630µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 100 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 151W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 190mOhm při 9,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 94,91000 Kč | MFR Recommended |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 156,86000 Kč | Similar |
| IXFH50N60P3 | IXYS | 351 | 238-IXFH50N60P3-ND | 287,04000 Kč | Similar |
| IXFR48N60Q3 | IXYS | 0 | IXFR48N60Q3-ND | 597,98103 Kč | Similar |
| SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 500 | SIHG22N60E-E3-ND | 119,90000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 111,29000 Kč | 111,29 Kč |
| 30 | 61,71300 Kč | 1 851,39 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 111,29000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 134,66090 Kč |



