Name: PMV120ENEAR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-2525-2-ND
Price: 15.8752 CZK
Availability: OutOfStock

PMV120ENEAR není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

onsemi

Skladem : 9 987

Jednotková cena : 28,12000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 28 579

Jednotková cena : 9,58000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PMV120ENEAR
Číslo produktu DigiKey	1727-2525-2-ND - Páska a cívka (TR) 1727-2525-1-ND - Řezaná páska (CT) 1727-2525-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PMV120ENEAR
Popis	MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 2,1A (Ta) 513mW (Ta), 6,4W (Tc) Montáž na povrch TO-236AB
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	PMV120ENEAR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,1A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	123mOhm při 2,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,7V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	275 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	513mW (Ta), 6,4W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-236AB
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	PMV120