Name: FDN5630
Brand: onsemi
SKU: FDN5630TR-ND
Price: 16.7706 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDN5630
Číslo produktu DigiKey	FDN5630TR-ND - Páska a cívka (TR) FDN5630CT-ND - Řezaná páska (CT) FDN5630DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDN5630
Popis	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 1,7A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDN5630 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 400 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 500mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,7A (Ta)	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDN563
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 1,7A, 10V