IXTP12N65X2M je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


Rohm Semiconductor
Skladem : 343
Jednotková cena : 90,50000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 358
Jednotková cena : 74,96000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 789
Jednotková cena : 81,89000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 430
Jednotková cena : 65,72000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 46,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 80,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 313
Jednotková cena : 56,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 60
Jednotková cena : 143,84000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 857
Jednotková cena : 156,65000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 96,80000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 170
Jednotková cena : 89,45000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,08450 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTP12N65X2M

Číslo produktu DigiKey
IXTP12N65X2M-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTP12N65X2M
Popis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
17.7 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±30V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1100 pF @ 25 V
Stav součásti
Aktivní
Rozptylový výkon (Max)
40W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220 izolovaná podložka
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
300mOhm při 6A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (16)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
R6011ENXRohm Semiconductor343R6011ENX-ND90,50000 KčDirect
STF16N60M6STMicroelectronics358497-STF16N60M6-ND74,96000 KčDirect
FCPF380N60Eonsemi1 789FCPF380N60E-ND81,89000 KčSimilar
IPA60R380C6XKSA1Infineon Technologies430IPA60R380C6XKSA1-ND65,72000 KčSimilar
IPA65R310CFDXKSA1Infineon Technologies0IPA65R310CFDXKSA1-ND0,00000 KčSimilar
K dispozici pro objednání
Skladové zásoby výrobce: 1 550
Zkontrolovat dodací lhůtu

This is stock that is available at the supplier which may be available to DigiKey upon receipt of order.

Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
30056,47623 Kč16 942,87 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:56,47623 Kč
Jednotková cena s DPH:68,33624 Kč