Name: IXTP12N65X2M
Brand: IXYS
SKU: IXTP12N65X2M-ND
Price: 53.79942 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IXTP12N65X2M
Číslo produktu DigiKey	IXTP12N65X2M-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTP12N65X2M
Popis	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	Ultra X2
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	300mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1100 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	40W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220 izolovaná podložka
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3, Izolovaná podložka
Základní číslo produktu	IXTP12

Jednotková cena bez DPH:	44,46233 Kč
Jednotková cena s DPH:	53,79942 Kč

IXTP12N65X2M