IXTP12N65X2M je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Direct


Rohm Semiconductor
Skladem : 373
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 360
Jednotková cena : 70,13000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 814
Jednotková cena : 78,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 431
Jednotková cena : 52,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 36,96000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 64,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 325
Jednotková cena : 56,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 160
Jednotková cena : 143,84000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 924
Jednotková cena : 146,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 90,50000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 170
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTP12N65X2M

Číslo produktu DigiKey
IXTP12N65X2M-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTP12N65X2M
Popis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
300mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1100 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220 izolovaná podložka
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Skladové zásoby výrobce: 1 550
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
30044,82093 Kč13 446,28 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:44,82093 Kč
Jednotková cena s DPH:54,23333 Kč