Similar
Similar
Similar

IPAN80R360P7XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPAN80R360P7XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPAN80R360P7XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 13A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPAN80R360P7XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 280µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 30 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 930 pF @ 500 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 30W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-FP |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 360mOhm při 5,6A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP12N65X2M | IXYS | 273 | IXFP12N65X2M-ND | 128,09000 Kč | Similar |
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | 56,47623 Kč | Similar |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 37 | TK11A65WS5X-ND | 46,62000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 80,21000 Kč | 80,21 Kč |
| 50 | 39,89620 Kč | 1 994,81 Kč |
| 100 | 35,98850 Kč | 3 598,85 Kč |
| 500 | 29,13430 Kč | 14 567,15 Kč |
| 1 000 | 26,93182 Kč | 26 931,82 Kč |
| 2 000 | 25,08043 Kč | 50 160,86 Kč |
| 5 000 | 23,07844 Kč | 115 392,20 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 80,21000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 97,05410 Kč |










