
IPA60R380C6XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPA60R380C6XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPA60R380C6XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 10,6A (Tc) 31W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPA60R380C6XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 320µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 700 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 31W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-FP |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 380mOhm při 3,8A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | 56,47623 Kč | Similar |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 343 | R6011ENX-ND | 90,50000 Kč | Similar |
| SIHF12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF12N60E-E3-ND | 78,95000 Kč | Similar |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | 78,95000 Kč | Similar |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | 378 | 497-12246-ND | 55,22000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 65,72000 Kč | 65,72 Kč |
| 50 | 32,13960 Kč | 1 606,98 Kč |
| 100 | 28,88270 Kč | 2 888,27 Kč |
| 500 | 23,17004 Kč | 11 585,02 Kč |
| 1 000 | 21,33376 Kč | 21 333,76 Kč |
| 2 000 | 19,78978 Kč | 39 579,56 Kč |
| 5 000 | 18,11993 Kč | 90 599,65 Kč |
| 10 000 | 17,08878 Kč | 170 887,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 65,72000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 79,52120 Kč |

