
IXTP08N100D2 | |
---|---|
cms-digikey-product-number | 238-IXTP08N100D2-ND |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | IXTP08N100D2 |
cms-description | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
cms-standard-lead-time | 50 týdnů |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | N-kanál, režim vybíjení 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3 |
cms-datasheet | cms-datasheet |
cms-eda-cad-models | IXTP08N100D2 Modely |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
---|---|---|
cms-category | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1000 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | - | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 21Ohm při 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max) při Id | - | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 325 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 60W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-220-3 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
---|---|---|
1 | 76,45000 Kč | 76,45 Kč |
50 | 38,65640 Kč | 1 932,82 Kč |
100 | 34,99020 Kč | 3 499,02 Kč |
500 | 28,56542 Kč | 14 282,71 Kč |
1 000 | 26,50159 Kč | 26 501,59 Kč |
2 000 | 25,12098 Kč | 50 241,96 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 76,45000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 92,50450 Kč |