IXTH50N20 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


IXYS
Skladem : 498
Jednotková cena : 185,87000 Kč
Katalogový list

Upgrade


Infineon Technologies
Skladem : 4 634
Jednotková cena : 102,93000 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 257,44160 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 226,70860 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 4 037
Jednotková cena : 74,52000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 117
Jednotková cena : 108,20000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 307
Jednotková cena : 102,72000 Kč
Katalogový list
N-kanál 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTH50N20

Číslo produktu DigiKey
IXTH50N20-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTH50N20
Popis
MOSFET N-CH 200V 50A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
45mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4600 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247 (IXTH)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné