IXTA20N65X je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 64,47300 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 252
Jednotková cena : 84,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 758
Jednotková cena : 50,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 95,61000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 3 937
Jednotková cena : 60,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 714
Jednotková cena : 89,78000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 126,85000 Kč
Katalogový list
TO-263AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTA20N65X

Číslo produktu DigiKey
IXTA20N65X-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTA20N65X
Popis
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
210mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1390 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
320W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.