Name: SPB17N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB17N80C3ATMA1TR-ND
Price: 125.2592 CZK
Availability: InStock

SPB17N80C3ATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPB17N80C3ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPB17N80C3ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPB17N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPB17N80C3ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPB17N80C3ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	290mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	177 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2300 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	227W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SPB17N80

Jednotková cena bez DPH:	103,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:	125,25920 Kč

SPB17N80C3ATMA1