IXTA110N055P je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 7 894
Jednotková cena : 27,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 4 752
Jednotková cena : 23,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 616
Jednotková cena : 25,82921 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 25 299
Jednotková cena : 36,66000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 11 732
Jednotková cena : 53,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 160
Jednotková cena : 62,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 69,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 000
Jednotková cena : 27,08000 Kč
Katalogový list
TO-263AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTA110N055P

Číslo produktu DigiKey
IXTA110N055P-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTA110N055P
Popis
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 110A (Tc) 390W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
13,5mOhm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2210 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
390W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné