Name: FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0TR-ND
Price: 33.7711 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB13AN06A0
Číslo produktu DigiKey	FDB13AN06A0TR-ND - Páska a cívka (TR) FDB13AN06A0CT-ND - Řezaná páska (CT) FDB13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB13AN06A0
Popis	MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 10,9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,9A (Ta), 62A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,5mOhm při 62A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	115W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	FDB13AN06