Name: SQM60N06-15_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM60N06-15_GE3TR-ND
Price: 83.9256 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SQM60N06-15_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQM60N06-15_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQM60N06-15_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQM60N06-15_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQM60N06-15_GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 56A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	56A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	15mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2480 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	107W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SQM60

Jednotková cena bez DPH:	69,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	83,92560 Kč

SQM60N06-15_GE3