


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXFY8N65X2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXFY8N65X2 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 790 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 150W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 450mOhm při 4A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18 928 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | 24,36000 Kč | Similar |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4 126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | 48,30000 Kč | Similar |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11 376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | 56,06000 Kč | Similar |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4 098 | 497-13352-1-ND | 92,39000 Kč | Similar |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | 73,28000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 90,08000 Kč | 90,08 Kč |
| 70 | 43,99086 Kč | 3 079,36 Kč |
| 140 | 40,08071 Kč | 5 611,30 Kč |
| 560 | 34,02539 Kč | 19 054,22 Kč |
| 1 050 | 31,89976 Kč | 33 494,75 Kč |
| 2 030 | 31,26344 Kč | 63 464,78 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 90,08000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 108,99680 Kč |

