IXFA30N60X je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 086
Jednotková cena : 87,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 3 490
Jednotková cena : 79,37000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 3 286
Jednotková cena : 93,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 811
Jednotková cena : 99,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 103,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 31,88735 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 30
Jednotková cena : 107,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 92
Jednotková cena : 123,68000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 36,63563 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,84630 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 105,83000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 41,99600 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 410
Jednotková cena : 94,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 39,55866 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA (IXFA)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFA30N60X

Číslo produktu DigiKey
IXFA30N60X-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXFA30N60X
Popis
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA (IXFA)
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
155mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2270 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
500W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263AA (IXFA)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.