IXFA30N60X je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 166
Jednotková cena : 3,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 10 658
Jednotková cena : 3,14000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 3 386
Jednotková cena : 3,83000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 811
Jednotková cena : 3,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 3,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,61404 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 92
Jednotková cena : 5,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,49662 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,71560 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 520
Jednotková cena : 3,60000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,61603 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,28389 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,28389 Kč
Katalogový list
TO-263AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFA30N60X

Číslo produktu DigiKey
IXFA30N60X-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXFA30N60X
Popis
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA (IXFA)
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
155mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2270 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
500W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263AA (IXFA)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.