


SIHB21N60EF-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB21N60EF-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB21N60EF-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 84 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2030 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 227W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Způsob montáže Montáž na povrch |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK) |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 176mOhm při 11A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 163,09000 Kč | Similar |
| STB24NM60N | STMicroelectronics | 688 | 497-11211-1-ND | 159,34000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 113,87000 Kč | 113,87 Kč |
| 50 | 59,22120 Kč | 2 961,06 Kč |
| 100 | 53,94280 Kč | 5 394,28 Kč |
| 500 | 44,70002 Kč | 22 350,01 Kč |
| 1 000 | 41,73248 Kč | 41 732,48 Kč |
| 2 000 | 39,23879 Kč | 78 477,58 Kč |
| 5 000 | 39,20834 Kč | 196 041,70 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 113,87000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 137,78270 Kč |

