N-kanál 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHB21N65EF-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHB21N65EF-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHB21N65EF-GE3
Popis
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce
28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
21A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2322 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
SIHB21
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 92
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1132,50000 Kč132,50 Kč
5069,82680 Kč3 491,34 Kč
10063,78350 Kč6 378,35 Kč
50053,20012 Kč26 600,06 Kč
1 00049,80243 Kč49 802,43 Kč
2 00047,92794 Kč95 855,88 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:132,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:160,32500 Kč