SI4435DYPBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 65 891
Jednotková cena : 22,89000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 140 117
Jednotková cena : 24,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 13 790
Jednotková cena : 26,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 5 293
Jednotková cena : 24,15000 Kč
Katalogový list
P-kanál 30 V 8A (Tc) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4435DYPBF

Číslo produktu DigiKey
SI4435DYPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI4435DYPBF
Popis
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 8A (Tc) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI4435DYPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
20mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2320 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-SO
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.