Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZTR-ND
Price: 29.4756 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS4435BZ
Číslo produktu DigiKey	FDS4435BZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDS4435BZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS4435BZ
Popis	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	36 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS4435BZ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1845 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,8A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDS4435
Rds zap (max) při Id, Vgs 20mOhm při 8,8A, 10V