Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 177.8579 CZK
Availability: OutOfStock

Pole MOSFET 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-WHITFN-10-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-WHITFN-10-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 4mOhm při 50A, 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 85µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 78nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4800pF při 50V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Pouzdro 10-PowerWDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHITFN-10-1