


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Popis | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Standardní dodací lhůta výrobce | 18 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-WHITFN-10-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Infineon Technologies | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 19A (Ta), 139A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 4mOhm při 50A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,8V při 85µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 78nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4800pF při 50V | |
Výkon - max | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 10-PowerWDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-WHITFN-10-1 |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 117,69000 Kč | 117,69 Kč |
10 | 78,57100 Kč | 785,71 Kč |
100 | 56,40560 Kč | 5 640,56 Kč |
500 | 54,97536 Kč | 27 487,68 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 44,91469 Kč | 134 744,07 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 117,69000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 142,40490 Kč |