


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Popis | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Standardní dodací lhůta výrobce | 18 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-WHITFN-10-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Infineon Technologies | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 19A (Ta), 139A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 4mOhm při 50A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,8V při 85µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 78nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4800pF při 50V | |
Výkon - max | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 10-PowerWDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-WHITFN-10-1 |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 118,93000 Kč | 118,93 Kč |
| 10 | 79,40100 Kč | 794,01 Kč |
| 100 | 57,00130 Kč | 5 700,13 Kč |
| 500 | 55,55600 Kč | 27 778,00 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 45,38906 Kč | 136 167,18 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 118,93000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 143,90530 Kč |











