Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 153.6821 CZK
Availability: InStock

Pole MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-VITFN-10-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISG0614N06NM5HATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISG0614N06NM5HATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-VITFN-10-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISG0614N06NM5HATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,6mOhm při 50A, 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,3V při 86µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 102nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6400pF při 30V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Pouzdro 10-PowerVDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Ta), 233A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-VITFN-10-1