Name: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 134.2253 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISG0614N06NM5HSCATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-WHITFN-10-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Ta), 233A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,6mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 86µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	102nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6400pF při 30V
Výkon - max	3W (Ta), 167W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	10-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WHITFN-10-1