Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 113.0866 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISG0613N04NM6HATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISG0613N04NM6HATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montáž na povrch PG-VITFN-10-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,88mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,8V při 780µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	104nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6200pF při 20V
Výkon - max	3W (Ta), 167W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	10-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-VITFN-10-1