IRFH5304TRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 4 246
Jednotková cena : 17,64000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 2 444
Jednotková cena : 19,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 97 217
Jednotková cena : 18,90000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 220 523
Jednotková cena : 32,34000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 0
Jednotková cena : 45,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 5 098
Jednotková cena : 36,75000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 6,78956 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 599
Jednotková cena : 19,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 17 829
Jednotková cena : 24,15000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 950
Jednotková cena : 41,79000 Kč
Katalogový list

Similar


YAGEO XSEMI
Skladem : 1 000
Jednotková cena : 16,59000 Kč
Katalogový list

Similar


YAGEO XSEMI
Skladem : 980
Jednotková cena : 17,01000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 22A (Ta), 79A (Tc) 3,6W (Ta), 46W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFH5304TRPBF

Číslo produktu DigiKey
IRFH5304TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFH5304TRPBF
Popis
MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 22A (Ta), 79A (Tc) 3,6W (Ta), 46W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFH5304TRPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,5mOhm při 47A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,35V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2360 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,6W (Ta), 46W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-PQFN (5x6)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.