Name: IRF7341TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7341PBFTR-ND
Price: 34.8117 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7341TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF7341PBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF7341PBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF7341PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7341TRPBF
Popis	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 55V 4,7A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 50mOhm při 4,7A, 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Řada HEXFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 36nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 740pF při 25V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 55V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,7A	Základní číslo produktu IRF734

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 13 240

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®