Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 35.7918 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7341TRPBFXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7341TRPBFXTMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 55V 4,7A (Tc) 2W (Tc) Montáž na povrch PG-DSO-8-902
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,7A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 4,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	36nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	740pF při 25V
Výkon - max	2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	PG-DSO-8-902

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 35 856

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®