IRF1010NPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 244
Jednotková cena : 36,42000 Kč
Katalogový list

Similar


Diotec Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 39,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 54,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 967
Jednotková cena : 65,89000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 917
Jednotková cena : 53,68000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 968
Jednotková cena : 59,78000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 629
Jednotková cena : 61,05000 Kč
Katalogový list
IRFB4127PBFXKMA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF1010NPBF

Číslo produktu DigiKey
IRF1010NPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF1010NPBF
Popis
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRF1010NPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
11mOhm při 43A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3210 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
180W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.