Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 70.301 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE004NE1LM7CGATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE004NE1LM7CGATMA1
Popis	TRENCH <= 40V
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch PG-TTFN-9-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	15 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 7V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,45mOhm při 30A, 7V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 432µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (max)	±7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6240 pF @ 7.5 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TTFN-9-3
Pouzdro	9-PowerTDFN